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学会発表 (2013)

  1. 松永翔雲、三浦貞彦、本庄弘明、木下啓蔵、池田正二、遠藤哲郎、大野英男、羽生貴弘
    "4T-2MTJセル構造に基づく不揮発TCAMチップの実現"
    電子情報通信学会 集積回路研究会、産業技術総合研究所、 つくば、 2013/4/11. （招待）
  2. 遠藤哲郎
    "Restructuring of Memory Hierarchy in Computing System with Spintronics-Based Technologies"
    電子情報通信学会 集積回路研究会、産業技術総合研究所、 つくば、 2013/4/11. （招待）
  3. 遠藤哲郎、大澤隆、小池洋紀、三浦貞彦、本庄弘明、徳留圭一、池田正二、羽生貴弘、大野英男
    "32ビット細粒度パワーゲーティングを使った不揮発性混載用 1Mb 4T2MTJ STT-RAM ～ 1.0ns/200psのWake-up/Power-off時間を達成 ～"
    電子情報通信学会 集積回路研究会、産業技術総合研究所、 つくば、 2013/4/11. （招待）
  4. 池田正二、佐藤英夫、 山ノ内路彦、 深見俊輔、 水沼広太朗、 金井駿、 石川慎也、 松倉文礼、 笠井直記、 大野英男
    "不揮発性集積回路応用に向けた CoFeB-MgO磁気トンネル接合の開発状況"
    独立行政法人 日本学術振興会、先端ナノデバイス・材料テクノロジー第151委員会 平成２５年度 第１回研究会「最先端スピンデバイスと新しいスピン制御技術」、 2013/5/9. （招待）
  5. M. Natsui, T. Hanyu, N. Sakimura, and T. Sugibayashi,
    "MTJ/MOS-Hybrid Logic-Circuit Design Flow for Nonvolatile Logic-in-Memory LSI",
    2013 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS2013), 2013/5/20.
  6. T. Hanyu,
    "Challenge of MTJ/MOS-Hybrid Logic-in-Memory Architecture for Nonvolatile VLSI Processor",
    2013 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS2013), 2013/5/20. （招待）
  7. Y. Ma, T. Shibata, and T. Endoh,
    "An MTJ-Based Nonvolatile Associative Memory Architecture With Intelligent Power-Saving Scheme for High-Speed Low-Power Recognition Applications",
    2013 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS2013), May, 2013.
  8. M. Oogane, H. Saruyama, Y. Kurimoto, H. Naganuma, and Y. Ando,
    "Perpendicularly magnetized L10-ordered MnAl thin films",
    The 8th International Symposium on Metallic Multilayers (MML2013), 2013/5/22.
  9. K. Mukaiyama, H. Naganuma, M. Oogane, and Y. Ando,
    "Exchange bias properties in rhombohedral and tetragonal BiFeO3/CoFe bilayers",
    The 8th International Symposium on Metallic Multilayers (MML2013), 2013/5/22.
  10. T. Yu, H. Naganuma, N. Inami, M. Oogane, and Y. Ando,
    "Observation of spin torque diode effect in CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junction with perpendicular magnetic anisotropy",
    The 8th International Symposium on Metallic Multilayers (MML2013), 2013/5/22.
  11. S. Fukami, H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, and H. Ohno,
    "Monoatomically-layered CoNi film with perpendicular magnetic anisotropy",
    The 8th International Symposium on Metallic Multilayers (MML2013), 2013/5/22.
  12. H. Sato, R. Koizumi, S. Ikeda, M. Yamanouchi, F. Matsukura, and H. Ohno,
    "(Co100-XFeX)80B20 composition dependence of interface anisotropy in MgO/CoFeB/Ta stack structure",
    The 8th International Symposium on Metallic Multilayers (MML2013), 2013/5/22.
  13. S. Iihama, S. Mizukami, Q. L. Ma, T. Kubota, H.Naganuma, M. Oogane, Y. Ando, and T. Miyazaki,
    "Precessional magnetization dynamics for Ta/CoFeB/MgO thin films investigated using all-optical pump-probe detection",
    The 8th International Symposium on Metallic Multilayers (MML2013), 2013/5/23.
  14. H. Naganuma, K. Hatakeyama, Y. Kawada, G. Kim., I. Khan N. Inami., M Oogane, and Y Ando,
    "Spin torque diode effect of millimeter wave using L1o-ordered alloy in magnetic tunnel junctions",
    The 8th International Symposium on Metallic Multilayers (MML2013), 2013/5/23.
  15. T. Ohsawa, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, and T. Endoh,
    "A 1-Mb STT-MRAM with Zero-Array Standby Power and 1.5-ns Quick Wake-Up by 8-b Fine-Grained Power Gating",
    2013 International Memory Workshop (IMW), 2013/5/28.
  16. Y. Yoshida, H. Koike, M. Muraguchi, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, and T. Endoh,
    "A Model Reflecting Preheat Effect by Two-step Writing Technique for High Speed and Stable STT-MRAM",
    International Workshop on Computational Electronics (IWCE), 2013/6/5.
  17. H. Koike, T. Ohsawa, and T. Endoh,
    "Verification of Simulation Time Improvement for SPICE Simulator using Built-in MTJ Model",
    International Workshop on Computational Electronics (IWCE), 2013/6/5.
  18. T. Endoh,
    "Spintronics Based NV-Memory/Logic for High Performance & Low Power Systems",
    2013 Symposium on VLSI Technology, 2013/6/10. （招待）
  19. H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, and H. Ohno,
    "MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO recording structure with low critical current and high thermal stability",
    JSPS York-Tohoku Research Symposium on "Magnetic Materials and Spintronic devices", 2013/6/10.
  20. T. Hanyu,
    "MTJ-Based Nonvolatile Logic-in-Memory Architecture for Ultra-Low-Power VLSI Chips",
    2013 Spintronics Workshop on LSI, 2013/6/10. （招待）
  21. M. Oogane, H. Saruyama, Y. Kurimoto, H. Naganuma and Y. Ando,
    "Magnetic tunnel junctions with perpendicularly magnetized L10-ordered MnAl electrode",
    JSPS York-Tohoku Research Symposium on "Magnetic Materials and Spintronic devices", 2013/6/10. （招待）
  22. S. Matsunaga, N. Sakimura, R. Nebashi, Y. Tsuji, A. Morioka, T. Sugibayashi, S. Miura, H. Honjo, K. Kinoshita, H. Sato, S. Fukami, M. Natsui, A. Mochizuki, S. Ikeda, T. Endoh, H. Ohno, and T. Hanyu,
    "Fabrication of a 99%-Energy-Less Nonvolatile Multi-Functional CAM Chip Using Hierarchical Power Gating for a Massively-Parallel Full-Text-Search Engine",
    2013 Symposium on VLSI Circuits, 2013/6/13.
  23. T. Ohsawa, S. Miura, K. Kinoshita, H. Honjo, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, and T. Endoh,
    "A 1.5nsec/2.1nsec Random Read/Write Cycle 1Mb STT-RAM Using 6T2MTJ Cell with Background Write for Nonvolatile e-Memories",
    2013 Symposium on VLSI Circuits, 2013/6/13.
  24. H. Ohno,
    "What We Can Learn from Ferromagnetism in Semiconductors",
    The 4th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO2013), 2013/6/20. （招待）
  25. T. Endoh,
    "Innovative Si-based Integrated Electronic Systems - Novel Trend with 3D Structual Cell and Spintronics Technology -",
    Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD), 2013/6/26. （招待）
  26. S. Ohuchida, and T. Endoh,
    "A Study of Time-Resolved Switching Characteristic in Perpendicular Magnetic Tunnel Junction",
    Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD), 2013/6/26.
  27. H. Ohno,
    "Current status and prospect of magnetic tunnel junction",
    7th International Conferenece on Materials for Advanced Technologies (ICMAT), 2013/7/1. （招待）
  28. 遠藤哲郎
    "３次元構造とスピントロニクスによる半導体メモリの新展開"
    第７７回半導体・集積回路技術シンポジウム、 2013/7/11. （招待）
  29. H. Ohno,
    "Two and three terminal non-volatile spintronics devices for VLSI applications",
    3rd International Symposium on Advanced Magnetic Materials and Applications (ISAMMA), 2013/7/22. （招待）
  30. 遠藤哲郎
    "A 1.5nsec/2.1nsec Random Read/Write Cycle 1Mb STT-RAM Using 6T2MTJ Cell with Background Write for Nonvolatile e-Memories",
    2013 Symposium on VLSI Circuits (VLSI Symposium 2013) 国内報告会、 2013/7/22. （招待）
  31. K. Mukaiyama, H. Naganuma, M. Oogane, and Y. Ando,
    "Exchange bias for tetragonal and rhombohedral BiFeO3/CoFe bilayers",
    3rd International Symposium on Advanced Magnetic Materials and Applications (ISAMMA), 2013/7/23.
  32. S. Fukami, M. Yamanouchi, H. Honjo, K. Kinoshita, K. Tokutome, S. Miura, S. Ikeda, N. Kasai, and H. Ohno,
    "Electrical reliability of Co/Ni wire for domain wall motion devices",
    3rd International Symposium on Advanced Magnetic Materials and Applications (ISAMMA), 2013/7/24.
  33. T. Yu, H. Naganuma, N. Inami, M. Oogane, and Y. Ando,
    "Detection of bias dependence of spin transfer torque in CoFeB/MgO/CoFeB p-MTJs using spin transfer diode effect",
    3rd International Symposium on Advanced Magnetic Materials and Applications (ISAMMA), 2013/7/25.
  34. H. Ohno,
    "Introduction to spintronics for integrated circuit applications",
    7th International School and Conference on Spintronics and Quantum Information Technology (SPINTECH VII), 2013/7/29. （招待）
  35. L. Chen, F. Matsukura, and H. Ohno,
    "DC voltages in (Ga,Mn)As and its adjacent p-GaAs under ferromagnetic resonance",
    7th International School and Conference on Spintronics and Quantum Information Technology (SPINTECH VII), 2013/7/31.
  36. H. Hanyu,
    "Towards a Nonvolatile VLSI Processor Using MTJ/MOS-Hybrid Logic-in-Memory Architecture",
    13th Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS 2013), 2013/8/13. （招待）
  37. T. Endoh,
    "Spintronics Based NV-Memory/Logic for Low Power Systems",
    13th Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS 2013), 2013/8/14. （招待）
  38. H. S. Chang, S. Akita, F. Matsukura, and H. Ohno,
    "Electric field-effect on magnetic properties of thin (Ga,Mn)Sb layers",
    17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17), 2013/8/16.
  39. M. Yamanouchi, L. Chen, J. Kim, M. Hayashi, H. Sato, S. Fukami, S. Ikeda, F. Matsukura, and H. Ohno,
    "Spin Hall effect in switching of three terminal magnetic tunnel junction with Cu:Ir channel",
    Joint European Symposia on Magnetism (JEMS2013), 2013/8/26.
  40. H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura,and H. Ohno,
    "Switching current and thermal stability of perpendicular-anisotropy CoFeB-MgO based magnetic tunnel junctions",
    International Conference on Applied Mathematics, Modeling and Computational Science AMMCS-2013, 2013/8/30.
  41. K. Kinoshita, H. Honjo, S. Fukami, R. Nebashi, S. Miura, N. Kasai, S. Ikeda, and H. Ohno,
    "Plasma process induced physical damages on multilayered magnetic films for magnetic domain wall motion",
    Dry Process Symposium 2013 (DPS2013), 2013/8/30.
  42. H. Ohno,
    "Magnetic Tunnel Junction Technology: Materials and Performance",
    International Conference on Nanoscale Magnetism (ICNM), 2013/9/2. （招待）
  43. 山本直志、佐藤英夫、木下啓藏、池田正二、大野英男
    "反応性イオンエッチングを用いた磁気トンネル接合の作製"
    第37回日本磁気学会学術講演会、 2013/9/4.
  44. 深見俊輔、 佐藤英夫、 山ノ内路彦、 池田正二、 大野英男
    "垂直磁気異方性CoNi超格子膜の作製と磁気特性の評価"
    第37回日本磁気学会学術講演会、 2013/9/4.
  45. 深見俊輔、山ノ内路彦、池田正二、大野英男
    "Co/Ni細線における磁壁デピニング確率の測定と計算"
    第37回日本磁気学会学術講演会、 2013/9/5.
  46. 都澤章平、陳林、松倉文礼、大野英男
    "Liを共添加した(Ga,Mn)Asの作製と評価"
    第74回応用物理学会秋季学術講演会、 2013/9/16.
  47. H. Chang、秋田晋悟、松倉文礼、大野英男
    "電界効果構造中の(Ga,Mn)Sbチャネルの磁気輸送特性"
    第74回応用物理学会秋季学術講演会、 2013/9/16.
  48. T. Kanaki, I. Muneta, S. Ohya, and M. Tanaka,
    "Energy dependence of tunneling anisotropic magnetoresistance in GaMnAs"
    第74回応用物理学会秋季学術講演会、 2013/9/17.
  49. 金井駿、山ノ内路彦、池田正二、仲谷栄伸、松倉文礼、大野英男
    "電界誘起磁化反転の実時間観測"
    第74回応用物理学会秋期学術講演会、 2013/9/17.
  50. 張超亮、山ノ内路彦、佐藤英夫、深見俊輔、池田正二、松倉 文礼、大野英男
    "垂直磁化容易Ta/CoFeB/MgO積層構造における電流誘起磁化反転"
    第74回応用物理学会秋季学術講演会、 2013/9/17.
  51. M. N. I. Khan, H. Naganuma, M. Oogane and Y. Ando,
    "Enhancement of perpendicular magnetic anisotropy of L10-ordered FePd films using CoFe interlayer"
    第74回応用物理学会秋季学術講演会、 2013/9/17.
  52. 山ノ内路彦、陳林、金俊延、林将光、佐藤英夫、深見俊輔、池田正二、松倉文礼、大野英男
    "CuIrチャネル3端子磁気トンネル接合における電流誘起スイッチング"
    第74回応用物理学会秋季学術講演会、 2013/9/17.
  53. 大野英男
    "スピントロニクスメモリ素子開発の現状と今後の展望"
    第74回応用物理学会秋季学術講演会、 2013/9/18. （招待）
  54. 岡田篤、金井駿、山ノ内路彦、池田正二、松倉文礼、大野英男
    "強磁性共鳴法により検出したTa-CoFeB-MgO接合における磁気特性の電界効果の膜厚依存性"
    第74回応用物理学会秋季学術講演会、 2013/9/19.
  55. 竹内祐太朗、水沼広太朗、石川慎也、佐藤英夫、池田正二、山ノ内路彦、深見俊輔、松倉文礼、大野英男
    "垂直磁気異方性CoFeB-MgO磁気トンネル接合素子の特性の温度依存性"
    第74回応用物理学会秋季学術講演会、 2013/9/19.
  56. 森廣智之、大兼幹彦、永沼博、安藤康夫
    "プラズマ酸化によるMgO障壁層を用いたCo2Fe0.4Mn0.6Si電極強磁性トンネル接合の作製"
    第74回応用物理学会秋季学術講演会、 2013/9/19.
  57. 石川慎也、佐藤英夫、山ノ内路彦、池田正二、深見俊輔、松倉文礼、大野英男
    "Ta挿入層を有するCo/Pt多層膜ベース磁気トンネル接合",
    第74回応用物理学会秋季学術講演会、 2013/9/19.
  58. D. Kobayashi, Y. Kakehashi, K. Hirose, S. Onoda, T. Makino, T. Ohshima, S. Ikeda, M. Yamanouchi, H. Sato, E-C. Enobio, T. Endoh, and H. Ohno,
    "Influence of heavy ion irradiation on perpendicular-anisotropy CoFeB-MgO magnetic tunnel junctions",
    Radiation Effects on Components and Systems 2013 (RADECS 2013), 2013/9/23.
  59. T. Endoh,
    "Impact of 3D structured Memory and Spintronics based NV-Memory for High Performance & Low Power Systems",
    2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2013), 2013/9/24. （招待）
  60. D. Suzuki, M. Natsui, A. Mochizuki, and T. Hanyu,
    "Design of a Three-Terminal MTJ-Based Nonvolatile Logic Element with a 2-ns 64-Bit-Parallel Reconfiguration Capability",
    2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2013), 2013/9/26.
  61. H. Sato, S. Ikeda, S. Fukami, H. Honjo, S. Ishikawa, M. Yamanouchi, K. Mizunuma, F. Matsukura and H. Ohno,
    "Co/Pt multilayer based reference layers in magnetic tunnel junction for novolatile spintronics VLSIs",
    2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2013), 2013/9/26.
  62. R. Nebashi, Y. Tsuji, H. Honjo, N. Sakimura, A. Morioka, K. Tokutome, S. Miura, S. Fukami, M. Yamanouchi, K. Kinoshita, T. Hanyu, T. Endoh, N. Kasai, H. Ohno, and T. Sugibayashi,
    "Demonstration of a Nonvolatile Processor Core Chip with Software-Controlled Three-Terminal MRAM Cells for Standby-Power Critical Applications",
    2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2013), 2013/9/27.
  63. T. Ohsawa, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, and T. Endoh,
    "Strategy of STT-MRAM Cell Design and Its Power Gating Technique for Low-Voltage and Low-Power Cache Memories",
    2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2013), 2013/9/27. （招待）
  64. T. Ohsawa, S. Miura, H. Honjo, K. Kinoshita, T. Hanyu, S. Ikeda, H. Ohno, and T. Endoh,
    "A 4x4 Nonvolatile Multiplier Using Novel MTJ-CMOS Hybrid Latch and Flip-Flop",
    2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2013), 2013/9/27.
  65. T. Ohsawa, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, and T. Endoh,
    "Studies on Selective Devices for Spin-Transfer-Torque Magnetic Tunnel Junctions",
    2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2013), 2013/9/27.
  66. H. Koike, T. Ohsawa, S. Miura, H. Honjo, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, and T. Endoh,
    "Wide Operational Margin Capability of 1kbit STT-MRAM Array Chip with 1-PMOS and 1-Bottom-Pin-MTJ Type Cell",
    2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2013), 2013/9/27.
  67. S. Fukami, H. Ohno,
    "Current-induced magnetic domain wall motion in Co/Ni wire and its application to nonvolatile memory devices",
    150 years diplomatic relation Japan-Switzerland, Swiss-Japanese Nanoscience Workshop, Materials Phenomena at Small Scale, 2013/10/10. （招待）
  68. H. Ohno,
    "Spintronics Devices for Nonvolatile CMOS VLSIs",
    150 years diplomatic relation Japan-Switzerland, Swiss-Japanese Nanoscience Workshop, Materials Phenomena at Small Scale, 2013/10/10. （招待）
  69. 小林大輔、梯友哉、廣瀬和之、池田正二、山ノ内路彦、佐藤英夫、E. C. I. Enobio、遠藤哲郎、大野英男、小野田忍、牧野高紘、大島武
    "磁気トンネル接合素子に対する放射線照射効果の実測評価"
    第8回高崎量子応用研究シンポジウム、 2013/10/10.
  70. H. Naganuma,
    "Bi based multiferroic thin films",
    Energy material nanotechnology (EMN) Conference, 2013/10/22. （招待）
  71. S. Fukami, M. Yamanouchi, K. J. Kim, T. Koyama, D. Chiba, S. Ikeda, N. Kasai, T. Ono, and H. Ohno,
    "Distribution of critical current density for magnetic domain wall motion",
    58th Annual Magnetism and Magnetic Materials (MMM) Conference, 2013/11/1.
  72. 大野英男
    "スピントロニクスは日の丸半導体を救えるか"
    東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会「非平衡スピン・ゆらぎの精緻な制御と観測による新規ナノデバイスの開拓研究」、 2013/11/1. （招待）
  73. C. Zhang, M. Yamanouchi, H. Sato, S. Fukami, S. Ikeda, F. Matsukura, and H. Ohno,
    "Magnetization reversal induced by in-plane current in Ta/CoFeB/MgO structures with perpendicular magnetic easy axis",
    58th Annual Magnetism and Magnetic Materials (MMM) Conference, 2013/11/2.
  74. S. Ishikawa, H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, and H. Ohno,
    "Co/Pt multilayer-based magnetic tunnel junctions with thin Ta spacer layer",
    58th Annual Magnetism and Magnetic Materials (MMM) Conference, 2013/11/2.
  75. H. Sato, Y. Takeuchi, K. Mizunuma, S. Ishikawa, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, and H. Ohno,
    "Temperature dependence of thermal stability factor of CoFeB-MgO magnetic tunnel junctions with perpendicular easy-axis",
    58th Annual Magnetism and Magnetic Materials (MMM) Conference, 2013/11/2.
  76. H. Ohno,
    "Material Status and Outlook of STT-Based Memory Technology",
    58th Annual Magnetism and Magnetic Materials (MMM) Conference, 2013/11/5. （招待）
  77. K. Kinoshita, H. Honjo, K. Tokutome, S. Miura, M. Murahata, K. Mizunuma, H. Sato, S. Fukami, S. Ikeda, N. Kasai, and H. Ohno,
    "Process induced damage by C-O based etching chemistries and its recovery for a CoFeB-MgO magnetic tunnel junction with perpendicular magnetic easy-axis",
    58th Annual Magnetism and Magnetic Materials (MMM) Conference, 2013/11/5.
  78. H. Koike, T. Ohsawa, S. Miura, H. Honjo, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, and T. Endoh,
    "MTJ resistance distribution of 1-kbit 1T-1MTJ STT-MRAM cell arrays fabricated on a 300-mm wafer",
    58th Annual Magnetism and Magnetic Materials (MMM) Conference, 2013/11/6.
  79. H. Honjo, S. Fukami, K. Kinoshita, R. Nebashi, K. Ishihara, K. Tokutome, M. Murahata, N. Sakimura, S. Miura, T. Sugibayashi, N. Kasai, and H. Ohno,
    "Three-terminal magnetic tunneling junction device with perpendicular anisotropy CoFeB sensing layer",
    58th Annual Magnetism and Magnetic Materials (MMM) Conference, 2013/11/6.
  80. T. Endoh,
    "STT-MRAM and NV-Logic for Low Power Systems",
    International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC), 2013/11/6. （招待）
  81. D. Suzuki, M. Natsui, A. Mochizuki, S. Miura, H. Honjo, K. Kinoshita, H. Sato, S. Fukami, S. Ikeda, T. Endoh, H. Ohno, and Takahiro Hanyu,
    "Fabrication of a Perpendicular-MTJ-Based Compact Nonvolatile Programmable Switch Using Shared-Write-Control-Transistor Structure",
    58th Annual Magnetism and Magnetic Materials (MMM) Conference, 2013/11/6.
  82. S. Iihama, M. Khan, H. Naganuma, M. Oogane, S. Mizukami, Y. Ando, and T. Miyazaki,
    "Magnetization dynamics for L10-FePd thin films with perpendicular magnetic anisotropy",
    58th Annual Magnetism and Magnetic Materials (MMM) Conference, 2013/11/7.
  83. T. Ohsawa, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, and T. Endoh,
    "Trend of TMR and Variation in Vth for Keeping Data Load Robustness of MOS/MTJ Hybrid Latches",
    58th Annual Magnetism and Magnetic Materials (MMM) Conference, 2013/11/8.
  84. N. Sakimura, R. Nebashi, M. Natsui, T. Hanyu, H. Ohno, and T. Sugibayashi,
    "Analysis of Single-Event Upset in MTJ/MOS Hybrid Circuits Employing Calculation of Switching Probability by Radiation-Induced Current",
    58th Annual Magnetism & Magnetic Materials (MMM) Conference, 2013/11/8.
  85. 山ノ内路彦、陳林、金俊延、 林将光、 佐藤英夫、 深見俊輔、池田正二、松倉文礼、大野英男
    "Cuベースチャネル3端子磁気トンネル接合"
    応用物理学会スピントロニクス研究会・日本磁気学会スピンエレクトロニクス専門研究会共同主催研究会「元素戦略、環境調和を視野に入れたスピントロニクスの新展開」、 2013/11/11. （招待）
  86. T. Endoh,
    "STT-MRAM"
    京都賞記念ワークショップ、 2013/11/12. （招待）
  87. H. Koike, T. Ohsawa, N. Sakimura, R. Nebashi, Y. Tsuji, A. Morioka, S. Miura, H. Honjo, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, and T. Endoh,
    "A Power-Gated MPU with 3-microsecond Entry/Exit Delay using MTJ-Based Nonvolatile Flip-Flop",
    IEEE Asian Solid-State Circuits Conference (A-SSCC), 2013/11/13.
  88. H. Ohno,
    "CoFeB-MgO Perpendicular Magnetic Tunnel Junction: Status & Prospects",
    Samsung 2nd STT-MRAM Global Innovation Forum 2013, 2013/11/20. （招待）
  89. T. Endoh, T. Ohsawa, M. Muraguchi, H. Koike, Y. Ma, M. Yasuhira, Y. Yasuda, K. Higashi, S. Tanoi, and C. Igarashi
    "パワー集積システムが拓く賢い省エネ社会"
    東北大学 電気・情報 東京フォーラム、 2013/11/21. （招待）
  90. 鈴木大輔、夏井雅典、望月明、羽生貴弘
    "MTJ素子を用いた不揮発FPGAの電力効最適化手法"
    デザインガイア2013 -VLSI設計の新しい大地-、 2013/11/27.
  91. S. Fukami and H. Ohno,
    "Three-terminal magnetic domain wall motion device for spintronics VLSIs",
    International Japanese-French Workshop on Spintronics, 2013/11/28. （招待）
  92. 久保田修司、 山ノ内路彦、 佐藤英夫、 池田正二、　松倉文礼、 大野英男
    "垂直磁化容易CoFeB-MgO磁気トンネル接合における電流誘起磁化反転の面内磁場依存性"
    応用物理学会東北支部第68回学術講演会、 2013/12/6.
  93. 堀川喜久、石川慎也、池田正二、佐藤英夫、山ノ内路彦、深見俊輔、松倉文礼、大野英男
    "MgO/Fe(B)/MgO積層膜の磁気特性"
    応用物理学会東北支部第68回学術講演会、 2013/12/6.
  94. 栗本雄太、 猿山陽鏡、 大兼幹彦、 永沼博、 安藤康夫
    "L10-MnAl/Co多層膜の結晶構造と磁気特性"
    応用物理学会東北支部第68回学術講演会、 2013/12/6.
  95. 大和田純史、 永沼博、 大兼幹彦、 安藤康夫
    "L10-FePd規則合金エピタキシャル膜の作製"
    応用物理学会東北支部第68回学術講演会、 2013/12/6.
  96. 猿山陽鏡、 栗本雄太、 大兼幹彦、 永沼博、 安藤康夫
    "垂直磁化MnAlを用いた強磁性トンネル接合の作製"
    応用物理学会東北支部第68回学術講演会, 2013/12/6.
  97. 森廣智之、 大兼幹彦、 永沼博、 安藤康夫
    "プラズマ酸化によるMgO障壁層を用いたCo2Fe0.4Mn0.6Si電極強磁性トンネル接合の作製"
    応用物理学会東北支部第68回学術講演会、 2013/12/6.
  98. T. Endoh,
    "STT-MRAM and its NV-Logic applications for Ultimate Power Management",
    SEMATECH-imec Workshop, 2013/12/8. （招待）
  99. H. Sato, T. Yamamoto, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, K. Kinoshita, F. Matsukura, N. Kasai, and H. Ohno,
    "Comprehensive study of CoFeB-MgO magnetic tunnel junction characteristics with single- and double-interface scaling down to 1X nm",
    2013 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2013/12/9.
  100. S. Fukami, M. Yamanouchi, K.-J. Kim, T. Suzuki, N. Sakimura, D. Chiba, S. Ikeda, T. Sugibayashi, N. Kasai, T. Ono, and H. Ohno,
    "20-nm magnetic domain wall motion memory with ultralow-power operation",
    2013 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2013/12/9.
  101. T. Endoh,
    "Is there life beyond conventional CMOS? (Evening Panel)",
    2013 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2013/12/10. （招待）
  102. 松倉文礼
    "強磁性半導体: キャリア誘起強磁性とその制御"
    第18回　半導体スピン工学の基礎と応用（PASPS-18）、 2013/12/10. （招待）
  103. T. Hanyu,
    "Challenge of MTJ-Based Nonvolatile Logic-in-Memory Architecture Towards Dark-Silicon Logic LSI",
    Workshop on Network on Chip between HKUST and CREST-DVLSI, 2013/12/14. （招待）
  104. 大野英男
    "スピントロニクス素子と材料　－磁気トンネル接合の最近の進展－ "
    顕微ナノ材料研究会、 2013/12/27. （招待）
  105. 向山広記、永沼博、大兼幹彦、安藤康夫
    "正方晶および菱面体晶構造を有するBiFeO3 エピタキシャル膜とCoFe 界面における交換バイアス特性"
    Bi系マルチフェロイクス研究会, 2014/1/6.
  106. Tian Yu, Hiroshi Naganuma, Xiu-Feng Han, and Yasuo Ando
    "Annealing temperature dependence of exchange bias in BiFeO3/CoFe bilayers"
    Bi系マルチフェロイクス研究会、 2014/1/6.
  107. S. Fukami, H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, F. Matsukura, and H. Ohno,
    "Advances in spintronics devices for microelectronics - from spin-transfer torque to spin-orbit torque",
    19th Asia and South Pacific Design Automation Conference (ASP-DAC 2014), 2014/1/23. （招待）
  108. N. Sakimura, Y. Tsuji, R. Nebashi, H. Honjo, A. Morioka, K. Ishihara, K. Kinoshita, S. Fukami, S. Miura, N. Kasai, T. Endoh, H. Ohno, T. Hanyu, and T. Sugibayashi,
    "A 90-nm 20-MHz Fully Nonvolatile Microcontroller for Standby-power Critical Applications",
    International Solid-State Circuits Conference (ISSCC 2014), 2014/2/11.
  109. T. Endoh,
    "STT-MRAM and NV-Logic for Low Power Systems",
    SEMICON Korea, 2014/2/12. （招待）
  110. 木下啓藏、 本庄弘明、 深見俊輔、 根橋竜介、 三浦貞彦、 杉林直彦、 笠井直記、 池田正二、 大野英男
    "スピントロ二クスデバイスのエッチングとプロセス誘起ダメージ"
    応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第168回研究集会、 2014/2/14. （招待）
  111. 大野英男
    "スピントロニクスが拓く新しい集積回路の世界"
    平成25年度最先端研究開発戦略的強化事業　FIRST EXPO、 2014/2/28. （招待）
  112. H. Ohno,
    "Nanoscale magnetic tunnel junction",
    American Physical Society, March Meeting, 2014/3/6. （招待）
  113. 遠藤哲郎
    "３次元構造デバイスとスピン/CMOS融合デバイスが切り拓く集積エレクトロニクスの将来"
    2014つくばナノテク拠点シンポジウム、 2014/3/6. （招待）
  114. T. Hanyu,
    "Challenge of MTJ/MOS-Hybrid logic LSI based on nonvolatile logic-in-memory architecture for dark silicon applications",
    International Meeting on Spintronics for Intergrated Circuits Applications and Beyond, 2014/3/13. （招待）
  115. T. Endoh,
    "Spintronics-based Nonvolatile Computing Systems",
    International Meeting on Spintronics for Intergrated Circuits Applications and Beyond, 2014/3/13. （招待）
  116. H. Ohno,
    "Spintronics: Materials through devices to Integrated Circuits",
    International Meeting on Spintronics for Intergrated Circuits Applications and Beyond, 2014/3/13. （招待）
  117. M. Oogane, M. Kubota, H. Naganuma, and Y. Ando
    "Influence of Nonmagnetic Materials Doping on Interfacial Magnetic Anisotropy and Damping in CoFeB/MgO Films"
    第61回応用物理学会春季学術講演会、 2014/3/17.
  118. C. Zhang, M. Yamanouchi, H. Sato, S. Fukami, S. Ikeda, F. Matsukura, and H. Ohno
    "Ta and CoFeB thickness dependence of sheet resistance in Ta/CoFeB/MgO heterostructures"
    第61回応用物理学会春季学術講演会、 2014/3/17.
  119. E. Hirayama, S. Kanai, K. Sato, M. Yamanouchi, H. Sato, S. Ikeda, Y. Nakatani, F. Matsukura, and H. Ohno
    "Ferromagnetic resonance spectra of CoFeB-MgO magnetic tunnel junctions measured by homodyne detection"
    第61回応用物理学会春季学術講演会、2014/3/19.
  120. 金井駿、仲谷栄伸、山ノ内路彦、池田正二、松倉文礼、大野英男
    "電界誘起磁化ダイナミクスの実時間観測"
    第61回応用物理学会春季学術講演会、 2014/3/19.
  121. S. Miyakozawa, L. Chen, F. Matsukura, and H. Ohno
    "Liを共添加した(Ga,Mn)Asの電界効果"
    第61回応用物理学会春季学術講演会、 2014/3/19.
  122. S. DuttaGupta, S. Fukami, M. Yamanouchi, C. Zhang, H. Sato, S. Ikeda, F. Matsukura, and H. Ohno,
    "Current induced domain wall creep in Ta/CoFeB/MgO/Ta wire"
    第61回応用物理学会春季学術講演会、 2014/3/19.
  123. S. Fukami, M. Yamanouchi, S. Ikeda, and H. Ohno,
    "Size dependence of critical current and thermal stability of domain wall motion device"
    第61回応用物理学会春季学術講演会、 2014/3/19.
  124. 大野英男,
    "スピントロニクス技術を用いた論理集積回路"
    第61回応用物理学会春季学術講演会、 2014/3/19. （招待）
  125. 羽生貴弘、 松永翔雲、鈴木大輔、 望月明、 夏井雅典
    "MTJ素子を用いた不揮発ロジックインメモリLSIの展望"
    2014年電子情報通信学会 総合大会、 2014/3/20. （招待）
  126. S. Kanai, H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, Y. Nakatani, F. Matsukura, and H. Ohno,
    "Elecrtic field and current induced magnetization switching"
    第61回応用物理学会春季学術講演会、 2014/3/20.
  127. A. Okada, S. Kanai, M. Yamanouchi, S. Ikeda, F. Matsukura, and H. Ohno
    "Temperature dependence of electric-field effect on magnetic properties of Ta/CoFeB/MgO structures investigated by ferromagnetic resonance"
    第61回応用物理学会春季学術講演会、 2014/3/20.
  128. H. Jang, Eli Christopher I. Enobio, H. Sato, S. Ishikawa, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, and H. Ohno
    "Current-induced switching properties under perpendicular magnetic field in magnetic tunnel junctions with perpendicular magnetic easy axis"
    第61回応用物理学会春季学術講演会、 2014/3/20.
  129. S. Ishikawa, H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, and H. Ohno,
    "Magnetic tunnel junctions using CoFeB/Ta[Co/Pd] ferromagnetic electrodes"
    第61回応用物理学会春季学術講演会、 2014/3/20.
  130. 松永翔雲、 望月明、羽生貴弘
    "ばらつき耐性を有するコンパクト・低電力不揮発TCAMの構成"
    2014年　電子情報通信学会 総合大会、 2014/3/20.
  131. Y. Horikawa, S.Ishikawa, S. Ikeda, H. Sato, S. Fukami, M. Yamanouchi, F. Matsukura, and H. Ohno
    "Top MgO layer thickness dependence of magnetic anisotropy in MgO/FeB/MgO stacks"
    第61回応用物理学会春季学術講演会、 2014/3/20.